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Si9433BDY
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( Ω )
0.040 at V GS = - 4.5 V
0.060 at V GS = - 2.7 V
SO-8
I D (A)
- 6.2
- 5.0
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
S
S
S
1
2
8
7
D
D
G
S
G
3
4
6
5
D
D
Top View
D
Ordering Information: Si9433BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si9433BDY -T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
- 20
± 12
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 6.2
- 5.0
- 20
- 4.5
- 3.5
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 2.3
- 1.2
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
2.5
1.6
- 55 to 150
1.3
0.8
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
45
80
20
50
95
24
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 10 s.
Document Number: 72755
S09-0870-Rev. B, 18-May-09
www.vishay.com
1
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